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熱膨脹特性與硅單晶匹配。因此,可以在寬的溫度范圍內(nèi)進行失真少的陽極接合。
特點
單晶硅和完整性的熱膨脹特性
( -氧化鈉的基于氧化硅氧化鋁)通過選擇鋁硅酸鹽基的玻璃組合物在寬的溫度范圍內(nèi)的熱膨脹硅單晶對準。
簡單的陽極接合
我們通過添加痕量Na來降低體積電阻率,并且具有即使在低于400℃的溫度下也能夠牢固接合的玻璃組成
質(zhì)量穩(wěn)定
大量熱膨脹特性之間的分散性非常小且穩(wěn)定。
可以用加工性好,濃度低的氫氟酸水溶液進行蝕刻,蝕刻后的表面成為鏡面。
應用示例
0.049
1)半導體壓力傳感器基板
2)加速度傳感器基板
3)噴墨打印機的噴嘴部分
4)用于微細加工粘合的玻璃
項目
單位
SD2
備注
熱特性
熱膨脹系數(shù)
X10 - 7 /°C
32
30?300℃(干涉膨脹計)
X10 - 7 /°C
33
30?350℃(干涉膨脹計)
X10 - 7 /°C
34
30?400℃(干涉膨脹計)
X10 - 7 /°C
35
30?450℃(干涉膨脹計)
X10 - 7 /°C
36
30至500°C(干擾膨脹計)
應變點
℃
670
10 14.5泊
過渡點
℃
720
屈服點
℃
785
機械性能
比重
2.60
年輕的Mod
GPA
87
剛度系數(shù)
GPA
35
泊松比
0.24
努普硬度
638
摩擦度
44
化學性質(zhì)
電阻HN0 3的
mg / cm 2
0.08
* 1
H 2 S 0 4阻力
mg / cm 2
<0.01
* 2
耐NaOH
mg / cm 2
<0.01
* 3
光學性能
折射率
(ND)
1.531
阿貝數(shù)
(N d)
59
電氣特性
耗散因數(shù)
(Tanδ)
0.010
20°C 1 MHz
(Tanδ)
0.019
100°C 1 MHz
(Tanδ)
200℃1MHz
介電常數(shù)
6
20°C 1 MHz
7
100°C 1 MHz
7
200℃1MHz
體積電阻率
X10 12歐米茄·男
4.1
20℃DC 500V 1分鐘
X10 10歐米茄·男
0.4
100℃DC 500V 1分鐘
X10 7歐米茄·男
3.8
200℃DC 500V 1分鐘