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主營產(chǎn)品:

光學(xué)儀器、光學(xué)材料、實(shí)驗(yàn)儀器、手動(dòng)工具、焊接工具、焊接材料、儀器儀表、靜電設(shè)備、靜電輔料、工業(yè)器材、氣動(dòng)元件、電工電氣、測量工具、計(jì)量設(shè)備、氣動(dòng)工具、電動(dòng)工具、化工設(shè)備、化工輔料、點(diǎn)膠設(shè)備、小型設(shè)備、儲(chǔ)存設(shè)備、物流設(shè)備、工業(yè)安防、**防護(hù)、包裝材料、切削工具、切削材料、辦公設(shè)備、辦公文具、工裝夾具、測試治具、機(jī)械加工。設(shè)備等。

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產(chǎn)品名稱：功能齊全重慶內(nèi)藤銷售 FE-5000 光譜橢偏儀 OTSUKA大塚電子
產(chǎn)品型號(hào)：FE-5000
產(chǎn)品廠商：OTSUKA大塚電子
產(chǎn)品價(jià)格：0
折扣價(jià)格：0
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簡單介紹：

除了能夠進(jìn)行高精度薄膜分析的分光橢圓偏振光譜儀之外，還可以通過安裝測量角度的自功能齊全重慶內(nèi)藤銷售 FE-5000 光譜橢偏儀 OTSUKA大塚電子動(dòng)可變機(jī)構(gòu)來支持各種薄膜。除了傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)分析儀方法之外，通過提供相位差板的自動(dòng) 功能齊全重慶內(nèi)藤銷售 FE-5000 光譜橢偏儀 OTSUKA大塚電子回縮機(jī)構(gòu)來提高測量精度。

詳情介紹：

除了能夠進(jìn)行高精度薄膜分析的分光橢圓偏振光譜儀之外，還可以通過安裝測量角度的自動(dòng)可變機(jī)構(gòu)來支持各種薄膜。除了傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)分析儀方法之外，通過提供相位差板的自動(dòng)回縮機(jī)構(gòu)來提高測量精度。

（詳情請咨詢TEL:18375760285 QQ;1280713150 白先生）

特點(diǎn)

橢圓參數(shù)測量可以在紫外和可見光（250-800nm）的波長范圍內(nèi)進(jìn)行
納米級(jí)多層薄膜的厚度分析
Ellipso光譜可以通過400多ch的多通道光譜快速測量
對應(yīng)于通過可變反射角度測量的薄膜的詳細(xì)分析
通過創(chuàng)建光學(xué)常數(shù)數(shù)據(jù)庫并添加配方注冊功能，可以增強(qiáng)操作的便利性
可以通過層膜配合分析通過光學(xué)常數(shù)測量來控制膜厚度/膜質(zhì)量

測量項(xiàng)目

橢圓參數(shù)（tanψ，cosΔ）測量
光學(xué)常數(shù)（n：折射率，k：消光系數(shù)）分析
薄膜厚度分析

應(yīng)用程序使用

半導(dǎo)體晶片
的柵氧化膜，氮化物膜
的SiO 2，硅X ? ?，氮化硅，的SiON，氮化硅X，AL 2 ? 3由SiN X ? ?，多晶Si，硒化鋅，BPSG，氮化鈦
的抗蝕劑（波長色散）的光學(xué)常數(shù)
化合物半導(dǎo)體
Al x Ga （1-x） As多層膜，非晶硅
用于等離子顯示器的FPD
定向膜
ITO，MgO等
各種新材料
DLC（Diamond Like Carbon），超導(dǎo)薄膜，磁頭薄膜等
光學(xué)薄膜
TiO 2，SiO 2，多層膜，減反射膜，反射膜
光刻領(lǐng)域
g線（436納米），h線（405納米），i線（365納米）中，n在各波長，諸如KrF受（248nm的）中，k評(píng)價(jià)

產(chǎn)品規(guī)格

模型	FE-5000S	FE-5000
測量樣本	反射測量樣本
樣本大小	100 x 100毫米	200 x 200毫米
測量方法	旋轉(zhuǎn)分析儀方法* 1
測量的薄膜厚度范圍（nd）	0.1納米 -
事件（反射）角度范圍	45到90°	45到90°
事件（反射）角度驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)	自動(dòng)簽名欄的驅(qū)動(dòng)方法
入射點(diǎn)直徑* 2	關(guān)于φ2.0	關(guān)于φ1.2sup * 3
tanψ測量精度	±0.01以下
cosΔ測量精度	±0.01以下
膜厚的可重復(fù)性	0.01％以下* 4
測量波長范圍* 5	300至800納米	250至800納米
光譜探測器	多色儀（PDA，CCD）
測量光源	高穩(wěn)定性氙燈* 6
舞臺(tái)傳動(dòng)系統(tǒng)	手冊	手動(dòng)/自動(dòng)
加載器兼容	不當(dāng)	是的
尺寸，重量	650（W）×400（D）×560（H）mm 約50kg	1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350kg * 7
軟件
分析	*小二乘薄膜分析（折射率模型函數(shù)，柯西色散方程模型方程，如NK-柯西色散方程模型分析）理論方程分析（本體表面NK分析，角度依賴性同時(shí)分析）

* 1可以驅(qū)動(dòng)偏光片，可以去除對死區(qū)有效的延遲片。
* 2取決于短軸·角度。
* 3小點(diǎn)對應(yīng)（選項(xiàng)）
* 4使用VLSI標(biāo)準(zhǔn)SiO2膜（100nm）時(shí)的值。
* 5可以在此波長范圍內(nèi)進(jìn)行選擇。
* 6光源根據(jù)測量波長而變化。
* 7選擇自動(dòng)舞臺(tái)時(shí)的值。